三星少主出獄首發劍指臺積電 放話搶先量產2奈米晶片

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三星電子今(7日)在2021年三星晶圓代工論壇公佈家晶圓代工未來架構方向。(示意圖/達志影像)

三星電子今(7日)在2021年三星晶圓代工論壇表示,準備在2025年搶先臺積電量產2奈米制程晶片,這是三星少主李在鎔8月出獄後,首次提出挑戰晶圓代工龍頭臺積電的未來戰略,劍指臺積電的意味濃厚。

綜合韓媒報導,三星公佈家晶圓代工未來架構方向表示,預計在2023年使用第2代3奈米制程,並在2025年時,使用GAA(閘極全環電晶體技術)產出的2奈米技術來量產晶片,並指出,最晚將在2026年時,晶圓代工產能要再增近1倍左右。

三星表示,他們獨特的GAA技術,可使晶片面積減少35%,性能提高30%,功耗降低50%,並提升至與採用FinFET(鰭式場效電晶體技術)5nm製程一樣的性能。

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媒體分析指出,三星有機會藉由導入GAA技術,超車臺積電,如果三星搶先在臺積電之前推出先進製程,將有機會獲得蘋果、高通等科技大廠的訂單。

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