力抗中國 拜登籲國會盡速通過創新法案,扶持晶片發展

力抗中國 拜登籲國會盡速通過創新法案,扶持晶片發展
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拜登週五在辛辛那堤視察United Performance Metals金屬製造廠時,要求國會盡快通過《兩黨創新法案》,他聲稱此案若通過將有助降低價格、帶來就業機會與推動美國製造業復甦。參加這項行程的還有俄亥俄州民主黨聯邦參議員布朗(Sherrod Brown)及共和黨聯邦參議員波特曼(Rob Portman)。

《兩黨創新法案》中,最重要的部分是美國政府提供520億美元補貼,來扶植當地半導體業的發展。拜登指出,這筆資金將鼓勵半導體公司在美國建廠,避免汽車和電子產業再次遭遇晶片短缺困境。

拜登強調這項法案能提升美國技術與創新,強化經濟與政治安全,讓美國能與主要地緣政治對手中國大陸進行抗衡。他還批評中國政府付錢遊說,企圖遏止該法案通過。

事實上參議院早在2021年6月已經通過自家版本的晶片與技術創新法案,緊接衆議院也在今年2月通過類似法案,不過兩者版本略有不同。因此兩院聯席委員會(conference committee)已決定12日將首次集會,針對兩院版本如何整合進行討論。然而根據國會助理透露,兩院要達成最終協議,恐怕還需數月時間。

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對此民主黨參議員華納(Mark Warner)感到相當挫敗。他指出在美國開始討論此案時,其他國家像是德國已宣佈最新晶片投資計劃。他還擔憂在美國部分重大晶片投資項目,有可能因爲國會缺乏行動而停滯不前。

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受到晶片短缺危機衝擊,美國汽車與電子業深受影響,部分公司因此還被迫削減產能。

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